NCV8412ADDR2G

onsemi
863-NCV8412ADDR2G
NCV8412ADDR2G

制造商：

说明：
电源开关 IC - 配电 DUAL SELF-PROTECTED LS DRIVER

数据表:
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库存量: 19,089

库存：
19,089 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.4983 ¥22.50
¥14.5544 ¥145.54
¥13.1532 ¥328.83
¥10.0118 ¥1,001.18
¥9.6728 ¥2,418.20
¥8.1134 ¥4,056.70
¥7.4241 ¥7,424.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥6.893 ¥17,232.50
¥6.8817 ¥34,408.50

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS:  
Low Side
1 Output
5.9 A
5.9 A
460 mOhms
31 us
140 us
12 V
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOIC-8
NCV8412
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
Pd-功率耗散: 1.2 W
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 2500
子类别: Switch ICs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

低侧智能分立FET

安森美 (onsemi) 低侧智能分立FET可以替代机电继电器和分立电路。这些三端子保护器件适用于恶劣的汽车环境。它们的保护功能包括Δ热关断、过流保护、过热保护、ESD保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位。该款低侧智能分立FET可用于开关各种阻性、感性和容性负载。

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