NTH4L020N090SC1

onsemi
863-NTH4L020N090SC1
NTH4L020N090SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L

数据表:
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库存量: 2,250

库存：
2,250 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥205.4679 ¥205.47
¥165.3529 ¥1,653.53

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
900 V
118 A
28 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
196 nC
- 55 C
+ 175 C
484 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 49 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 28 ns
系列: NTH4L020N090SC1
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 54 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NTH4L020N090SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi)  NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。  

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