NTH4L060N090SC1

onsemi
863-NTH4L060N090SC1
NTH4L060N090SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 311

库存：
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生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥80.23 ¥80.23
¥67.1672 ¥671.67
¥59.551 ¥7,146.12
¥57.9012 ¥29,529.61

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
900 V
46 A
84 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 15 ns
系列: NTH4L060N090SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

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