NTK3134NT3G

Name: onsemi NTK3134NT3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT3G
Price: 2.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTK3134NT3G

制造商编号：

NTK3134NT3G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

寿命周期:

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥2.8137	¥2.81
	¥2.0679	¥20.68
	¥1.1752	¥117.52
	¥0.79439	¥397.20
	¥0.62828	¥628.28
	¥0.54579	¥1,364.48
	¥0.48025	¥2,401.25
	¥0.44635	¥4,463.50
	¥0.38872	¥9,718.00
整卷卷轴（请按40000的倍数订购）
	¥0.38872	¥15,548.80

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-723-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	890 mA
Rds On-漏源导通电阻:	1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	450 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	7.4 ns
正向跨导 - 最小值:	1.6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.8 ns
系列:	NTK3134N
工厂包装数量:	40000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	17.3 ns
典型接通延迟时间:	6.7 ns

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数据表

NTK3134NT3G 数据表

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

NTK3134N单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTK3134N单N沟道功率MOSFET具有ESD保护功能，是优化用于高效开关应用优化的强大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N组件采用紧凑的3引脚SOT-723封装，在4.5V电压下实现0.20Ω的低R_DS(on)，可最大限度地减少传导损耗并提升热性能。NTK3134N MOSFET的漏源电压额定值为20V，稳态漏极连续电流能力为890mA（最大值），非常适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器和负载开关电路。开关速度快和栅极电荷低，有助于降低功耗并提高整体系统效率，使这些MOSFET成为空间受限、功耗敏感设计的可靠选择。