NVH4L080N120SC1

onsemi
863-NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

数据表:
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库存量: 689

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥98.4343 ¥98.43
¥59.1442 ¥591.44

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
29 A
80 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5.4 ns
正向跨导 - 最小值: 11.3 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 4.2 ns
系列: NVH4L080N120SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 26.8 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。  onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项，包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

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1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关和低电容，工作温度范围为-55°C至+175°C。1200V SiC MOSFET符合AEC-Q101车载标准和RoHS指令。这些MOSFET适合用于升压逆变器、充电桩、DC-DC逆变器、DC-DC转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。

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