NVMFS5C442NLAFT1G-YE

onsemi
863-FS5C442NLAFT1GYE
NVMFS5C442NLAFT1G-YE

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V S08FL

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,251

库存：
1,251
可立即发货
在途量:
1,500
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥13.4809 ¥13.48
¥8.5993 ¥85.99
¥5.6952 ¥569.52
¥4.6669 ¥2,333.45
¥4.0906 ¥4,090.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥3.7516 ¥5,627.40

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
130 A
2.5 mOhms
20 V
2 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: JP
扩散国家: JP
原产国: MY
下降时间: 9.4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.3 ns
系列: NVMFS5C442NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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