NVMFWD024N06CT1G

onsemi
863-NVMFWD024N06CT1G
NVMFWD024N06CT1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

数据表:
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库存量: 1,500

库存：
1,500 可立即发货
生产周期：
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥24.4871 ¥24.49
¥15.9669 ¥159.67
¥11.0062 ¥1,100.62
¥9.1869 ¥4,593.45
¥8.5202 ¥8,520.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.5202 ¥12,780.30

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8FL-Dual-8
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: JP
原产国: MY
产品类型: MOSFETs
系列: NVMFD024N06C
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
单位重量: 161.193 mg
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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