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UJ4SC075009B7S

Name: onsemi UJ4SC075009B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4SC075009B7S
Price: 229.19 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UJ4SC075009B7S

制造商编号：

UJ4SC075009B7S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7

数据表:

UJ4SC075009B7S 数据表

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数量	单价	总价
	¥258.9847	¥258.98
	¥201.8293	¥2,018.29
	¥199.671	¥99,835.50
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥188.4275	¥150,742.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	106 A
Rds On-漏源导通电阻:	9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.5 V
Qg-栅极电荷:	75 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	14 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	25 ns
系列:	UJ4SC
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	65 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

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Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

采用D2PAK-7L封装的750V UJ4C/SC SiC FET

Onsemi 750V UJ4C/SC SiC FET采用D2PAK-7L封装，提供从9mΩ到60mΩ的多种导通电阻选择。这些器件采用独特的级联SiC FET技术，将常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装成常闭SiC FET，从而实现了出色的R_DS x 面积的优越性，在小芯片中实现低传导损耗。D2PAK-7L封装通过紧凑的内部连接环路降低电感，再加上配有的开尔文源极连接，可实现低开关损耗，从而实现更高的工作频率和系统功率密度。五个并联翼形电源连接可实现低电感和大电流使用。银烧结芯片连接具有热阻低的特点，可在标准印刷电路板和采用液体冷却的IMS基板上最大限度地汲取热量。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4碳化硅FET是高性能系列，具有业界最佳的性能品质因数，可在更高速度下降低导通损耗并提高效率，从而提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 选项可选，基于独特的共源共栅配置，其中高性能碳化硅JFET与共栅优化的Si-MOSFET共同封装，形成标准栅极驱动碳化硅器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现直接替换功能。设计人员可以通过用Qorvo UJ4C/SC FET替代现有Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件，在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。