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STL110N10F7

Name: STMicroelectronics STL110N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL110N10F7
Price: 21.01 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STL110N10F7

制造商编号：

STL110N10F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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数据表:

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥23.7413	¥23.74
	¥15.3906	¥153.91
	¥10.5881	¥1,058.81
	¥8.7688	¥4,384.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥8.1473	¥24,441.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	60 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	5 W
商标名:	STripFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	IT
扩散国家:	Not Available
原产国:	IT
产品类型:	MOSFETs
系列:	STL110N10F7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	76 mg

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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