PN2222 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

结果: 35
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi / Fairchild 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92
数据表
不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92
数据表
不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92
数据表
不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose Transistor
数据表
不可用

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
数据表
不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
数据表

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Toshiba PN2222BU
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N/A
Si NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
Micro Commercial Components (MCC) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6Vebo 600mA 625mW
数据表
11,027库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
数据表
无库存
最低： 10,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
数据表
无库存
最低： 10,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack