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1ED3321MC12NXUMA1

Name: Infineon 1ED3321MC12NXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3321MC12NXUMA
Price: 24.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-1ED3321MC12NXUMA

制造商编号：

1ED3321MC12NXUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 ISOLATED DRIVER

数据表:

1ED3321MC12NXUMA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥28.0353	¥28.04
	¥21.1762	¥211.76
	¥19.3569	¥483.92
	¥17.5376	¥1,753.76
	¥16.5432	¥4,135.80
	¥15.9669	¥7,983.45
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥15.3906	¥15,390.60
	¥14.803	¥29,606.00
	¥14.3058	¥71,529.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Isolated Gate Drivers
类型:	High-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSO-16
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	8.5 A
电源电压-最小:	2.5 V
电源电压-最大:	5.5 V
配置:	Inverting, Non-Inverting
上升时间:	530 ns
下降时间:	370 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	Enhanced F3 family
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
组装国:	ID
扩散国家:	DE
原产国:	DE
逻辑类型:	CMOS
最大关闭延迟时间:	92 ns
最大开启延迟时间:	84 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	1.1 mA
输出电压:	35 V
Pd-功率耗散:	810 mW
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	15 ns
Rds On-漏源导通电阻:	2.35 Ohms
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
商标名:	EiceDRIVER
零件号别名:	1ED3321MC12N SP005433357

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数据表

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EiceDRIVER™栅极驱动器IC

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双通道MOSFET驱动器IC

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了解详情

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

单通道EiceDRIVER™ MOSFET栅极驱动器IC

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EiceDRIVER™增强型F3系列

英飞凌EiceDRIVER™增强型F3系列（1ED332x）是8.5A单通道隔离驱动器，采用300mil DSO-16封装。1ED332xMC12N系列具备旨在满足市场需求的功能，包括软/硬故障关断、IGBT与SiC欠压锁定（UVLO）设置、两种不同的输出电流强度，以及两种不同的输出配置。该F3产品系列非常适合用于SiC MOSFET短路保护。

EiceDRIVER™增强型隔离栅极驱动器IC

英飞凌科技EiceDRIVER™增强型隔离式栅极驱动器IC提供DESAT、米勒钳位、MOSFET软关闭、IGBT和SiC MOSFET等保护特性。这些隔离式驱动器基于我们的无芯变压器 (CT) 技术，可实现300kV/μs的世界级共模瞬态抑制 (CMTI)。借助米勒钳位和精确短路保护 (DESAT)，可在驱动CoolSiC™ SiC MOSFET和TRENCHSTOP™ IGBT7时避免寄生导通和短路，从而实现出色的应用安全性。EiceDRIVER™隔离式驱动器具有高达9A驱动能力，使升压解决方案成为过去。这些单通道和双通道栅极驱动器IC有X3模拟系列 (1ED34xx) 和X3数字系列栅极驱动器IC可选。1ED34xx和1ED38xx栅极驱动器IC具有9A输出电流和40V_max输出电压，采用节省空间的DS0-16小间距宽体封装，爬电距离为8mm。这些IC具有短路钳位和有源关断功能，并具有最高隔离能力，可用于1500V DC太阳能逆变器应用。

隔离式栅极驱动器

英飞凌隔离式栅极驱动器采用磁耦合无芯变压器（CT）技术，可跨电流隔离传输信号。这些驱动器提供基本功能、增强型隔离、通过UL 1577和VDE 0884认证的产品。此隔离支持非常大的电压波动（例如 ±1200V）。这些隔离式驱动器集成了MOSFET、IGBT、IGBT模块、SiC MOSFET和GaN HEMT驱动的最重要特性和参数。