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1ED3431MU12MXUMA1

Name: Infineon 1ED3431MU12MXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3431MU12MXUMA
Price: 38.72 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

726-1ED3431MU12MXUMA

制造商编号：

1ED3431MU12MXUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 ISOLATED DRIVER

数据表:

1ED3431MU12MXUMA1 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥43.7536	¥43.75
	¥33.335	¥333.35
	¥30.7699	¥769.25
	¥27.8771	¥2,787.71
	¥26.4646	¥6,616.15
	¥25.6397	¥12,819.85
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥22.826	¥22,826.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Isolated Gate Drivers
安装风格:	SMD/SMT
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	3 A
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	25 V
上升时间:	15 ns
下降时间:	15 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	Enhanced X3 analog
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	DE
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
商标名:	EiceDRIVER
零件号别名:	1ED3431MU12M SP005350849

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™增强型隔离栅极驱动器IC

英飞凌科技EiceDRIVER™增强型隔离式栅极驱动器IC提供DESAT、米勒钳位、MOSFET软关闭、IGBT和SiC MOSFET等保护特性。这些隔离式驱动器基于我们的无芯变压器 (CT) 技术，可实现300kV/μs的世界级共模瞬态抑制 (CMTI)。借助米勒钳位和精确短路保护 (DESAT)，可在驱动CoolSiC™ SiC MOSFET和TRENCHSTOP™ IGBT7时避免寄生导通和短路，从而实现出色的应用安全性。EiceDRIVER™隔离式驱动器具有高达9A驱动能力，使升压解决方案成为过去。这些单通道和双通道栅极驱动器IC有X3模拟系列 (1ED34xx) 和X3数字系列栅极驱动器IC可选。1ED34xx和1ED38xx栅极驱动器IC具有9A输出电流和40V_max输出电压，采用节省空间的DS0-16小间距宽体封装，爬电距离为8mm。这些IC具有短路钳位和有源关断功能，并具有最高隔离能力，可用于1500V DC太阳能逆变器应用。

EiceDRIVER隔离式与非隔离式栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™隔离式与非隔离式栅极驱动器IC为MOSFET、IGBT和IGBT模块提供经过优化的高低电压栅极驱动器解决方案。这些隔离式与非隔离式栅极驱动器IC是专为打造可靠且高效的应用所设计。经过优化的栅极驱动器配置，对于无论是独立形式还是电源模块形式的所有电源开关而言，都是必不可少的。Infineon栅极驱动器提供介于0.1A到最高10A的多样化典型输出电流选项，适合电源装置的所有尺寸。

隔离式栅极驱动器

英飞凌隔离式栅极驱动器采用磁耦合无芯变压器（CT）技术，可跨电流隔离传输信号。这些驱动器提供基本功能、增强型隔离、通过UL 1577和VDE 0884认证的产品。此隔离支持非常大的电压波动（例如 ±1200V）。这些隔离式驱动器集成了MOSFET、IGBT、IGBT模块、SiC MOSFET和GaN HEMT驱动的最重要特性和参数。

EiceDRIVER™增强型X3模拟系列

Infineon Technologies EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省空间的爬电距离为8mm的DSO-16小间距宽体封装。增强型X3模拟系列通过了UL 1577认证（V_Iso = 5.7kV_RMS 持续1分钟）和VDE 0884-11（增强型隔离）认证 (V_IORM = 1767V)。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。