2ED020I12-FI

Infineon Technologies
641-2ED020I12-FI
2ED020I12-FI

制造商：

说明：
栅极驱动器 ISOLATED DRIVER

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 16,628

库存：
16,628 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥45.2452 ¥45.25
¥31.0976 ¥310.98
¥28.9506 ¥723.77
¥25.4815 ¥2,548.15
¥24.1481 ¥6,037.03
¥21.6734 ¥10,836.70
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥18.193 ¥18,193.00
¥17.6167 ¥35,233.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
DSO-18
2 Driver
2 Output
1 A
14 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
20 ns
20 ns
- 40 C
+ 150 C
2ED-FI Enhanced
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: ID
逻辑类型: CMOS, TTL
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 3.9 mA
输出电压: 1.7 V
Pd-功率耗散: 1.4 W
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 130 ns
关闭: Yes
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: EiceDRIVER
零件号别名: SP000265782 2ED020I12FIXUMA1
单位重量: 530 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542310075
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™增强型隔离栅极驱动器IC

英飞凌科技EiceDRIVER™增强型隔离式栅极驱动器IC提供DESAT、米勒钳位、MOSFET软关闭、IGBT和SiC MOSFET等保护特性。这些隔离式驱动器基于我们的无芯变压器 (CT) 技术，可实现300kV/μs的世界级共模瞬态抑制 (CMTI)。借助米勒钳位和精确短路保护 (DESAT)，可在驱动CoolSiC™ SiC MOSFET和TRENCHSTOP™ IGBT7时避免寄生导通和短路，从而实现出色的应用安全性。EiceDRIVER™隔离式驱动器具有高达9A驱动能力，使升压解决方案成为过去。这些单通道和双通道栅极驱动器IC有X3模拟系列 (1ED34xx) 和X3数字系列栅极驱动器IC可选。1ED34xx和1ED38xx栅极驱动器IC具有9A输出电流和40Vmax输出电压，采用节省空间的DS0-16小间距宽体封装，爬电距离为8mm。这些IC具有短路钳位和有源关断功能，并具有最高隔离能力，可用于1500V DC太阳能逆变器应用。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。

EiceDRIVER隔离式与非隔离式栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™隔离式与非隔离式栅极驱动器IC为MOSFET、IGBT和IGBT模块提供经过优化的高低电压栅极驱动器解决方案。这些隔离式与非隔离式栅极驱动器IC是专为打造可靠且高效的应用所设计。经过优化的栅极驱动器配置，对于无论是独立形式还是电源模块形式的所有电源开关而言，都是必不可少的。Infineon栅极驱动器提供介于0.1A到最高10A的多样化典型输出电流选项，适合电源装置的所有尺寸。

隔离式栅极驱动器

英飞凌隔离式栅极驱动器采用磁耦合无芯变压器（CT）技术，可跨电流隔离传输信号。这些驱动器提供基本功能、增强型隔离、通过UL 1577和VDE 0884认证的产品。此隔离支持非常大的电压波动（例如 ±1200V）。这些隔离式驱动器集成了MOSFET、IGBT、IGBT模块、SiC MOSFET和GaN HEMT驱动的最重要特性和参数。

半桥栅极驱动器IC

Infineon Technologies半桥栅极驱动器IC采用电平转换器绝缘体硅片 (SOI) 技术。该技术集成了低阻值超快速自举二极管，支持效率更高和尺寸更小的应用。

电动汽车直流快充解决方案

英飞凌电动汽车直流快充解决方案可满足电动汽车的充电需求。随着市场上电动汽车数量不断增长，以及诸多国家和地区政府要求在2050年前实现零排放目标，人们迫切需要更加高效的充电解决方案。正如各类消费者研究所示，用户对电动汽车的接受程度深受充电的可用性和时长影响，而大功率直流充电站就是满足此类市场需求的解决方案。如今，常规电动汽车可在10分钟内充满80%的电池容量，这样的充电速度已经堪比传统内燃机汽车的加油速度。英飞凌可帮助实现节能的直流快充设计，让您受益于全面、可随时实施的一站式产品和设计组合，涵盖电源转换、微控制器、安全防护、辅助电源和通信产品系列。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

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