SIHH240N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHH240N60ET1GE3
SIHH240N60E-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay / Siliconix SIHH240N60E-T1-GE3详情

库存量: 2,525

库存：
2,525 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥31.3462 ¥31.35
¥20.5999 ¥206.00
¥14.4753 ¥1,447.53
¥12.8255 ¥6,412.75
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥12.1588 ¥36,476.40

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 8 x 8 - 8
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
208 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 28 ns
系列: SIHH E
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N - Channel
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

第四代E系列MOSFET

Vishay Semiconductors第四代E系列MOSFET是低品质因数 (FOM) MOSFET，采用E系列技术。第四代E系列MOSFET具有低有效电容，能够减少开关和导通损耗。这些MOSFET可耐受雪崩能量测试 (UIS)。第四代MOSFET采用TO-220AB、PowerPAK® SO-8L、PowerPAK® 8x8、DPAK (TO-252) 和薄引线TO-220 FULLPAK封装。典型应用包括服务器和电信电源、照明、工业、开关模式电源 (SMPS) 和功率因素校正 (PFC) 电源。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。