您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

BSC072N04LDATMA1

Name: Infineon BSC072N04LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC072N04LDATMA1
Price: 12.66 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-BSC072N04LDATMA1

制造商编号：

BSC072N04LDATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET 40V

数据表:

BSC072N04LDATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies BSC072N04LDATMA1详情

库存量: 24,298

库存：: 24,298

可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 20,000
生产周期：: 12

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.3058	¥14.31
	¥9.0965	¥90.97
	¥6.0907	¥609.07
	¥4.8025	¥2,401.25
	¥4.3505	¥4,350.50
	¥4.3392	¥10,848.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥4.0567	¥20,283.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	52 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	65 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	25 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	BSC072N04
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
零件号别名:	BSC072N04LD SP002594350

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

BSC072N04LDATMA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET是N通道功率晶体管，采用SuperSO8封装，具有双冷却功能，可提高散热性能。英飞凌OptiMOS功率MOSFET设计用于提高效率、功率密度和成本效益。这些器件具有低导通电阻 (R_{DS (on)}) 和低反向恢复电荷 (Q_rr)，可提高功率密度，同时提高稳健性和系统可靠性。+175°C额定电压有助于设计在较高工作结温下功率更大，或者在相同工作结温下使用寿命更长。