C3M0021120K1

Wolfspeed
941-C3M0021120K1
C3M0021120K1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

数据表:
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¥92.6374 ¥926.37
¥81.5634 ¥9,787.61

产品属性 属性值 选择属性
Wolfspeed
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
35 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.8 V
177 nC
- 40 C
+ 175 C
405 W
Enhancement
商标: Wolfspeed
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 35 S
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 39 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Silicon Carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1200V碳化硅(SiC)功率MOSFET具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻。这些功率MOSFET可降低开关损耗和冷却要求，并最大限度地减少栅极振铃。1200V SiC功率MOSFET集成了一个具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。这些功率MOSFET提高了功率密度和系统开关频率。1200V碳化硅功率MOSFET采用经过优化的封装，具有独立的驱动源引脚，采用薄型TO-247-4封装主体。这些功率MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器、太阳能/ESS、UPS和企业级PSU。

1200V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed  1200V碳化硅功率MOSFET为性能、耐用性和设计简易设定了标准。Wolfspeed MOSFET具有快速开关和低开关损耗的特点，与传统的硅MOSFET和IGBT器件相比，能显著提高系统效率、功率密度，并降低总体BOM成本。

碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的Rds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。

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