C3M0032120K1

Wolfspeed
941-C3M0032120K1
C3M0032120K1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Wolfspeed C3M0032120K1详情

库存量: 386

库存：
386 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥109.6778 ¥109.68
¥66.5005 ¥665.01
¥56.9859 ¥6,838.31
¥55.0084 ¥28,054.28

产品属性 属性值 选择属性
Wolfspeed
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
69 A
55 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.8 V
118 nC
- 40 C
+ 175 C
278 W
Enhancement
商标: Wolfspeed
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 22 S
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Silicon Carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1200V碳化硅(SiC)功率MOSFET具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻。这些功率MOSFET可降低开关损耗和冷却要求，并最大限度地减少栅极振铃。1200V SiC功率MOSFET集成了一个具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。这些功率MOSFET提高了功率密度和系统开关频率。1200V碳化硅功率MOSFET采用经过优化的封装，具有独立的驱动源引脚，采用薄型TO-247-4封装主体。这些功率MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器、太阳能/ESS、UPS和企业级PSU。

1200V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed  1200V碳化硅功率MOSFET为性能、耐用性和设计简易设定了标准。Wolfspeed MOSFET具有快速开关和低开关损耗的特点，与传统的硅MOSFET和IGBT器件相比，能显著提高系统效率、功率密度，并降低总体BOM成本。

碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的Rds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。