C3M0060065K

Wolfspeed
941-C3M0060065K
C3M0060065K

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

数据表:
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库存量: 355

库存：
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生产周期：
11 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥76.0942 ¥76.09
¥52.5224 ¥525.22
¥44.2508 ¥5,310.10
¥33.1655 ¥16,914.41

产品属性 属性值 选择属性
Wolfspeed
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
37 A
60 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
46 nC
- 40 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
商标: Wolfspeed
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 10 S
封装: Tube
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed 650V碳化硅功率MOSFET具有低导通电阻和开关损耗，可最大限度地提高效率和功率密度。650V MOSFET优化用于高性能电力电子应用，包括服务器电源、电动汽车充电系统、能量存储系统、太阳能 (PV) 逆变器、不间断电源和电池管理系统。与硅器件相比，Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET可将开关损耗降低75%，导通损耗变成 ½，功率密度提高3倍。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET能够实现更高的开关频率，减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和较低的冷却需求。 MOSFET还可增加功率密度和系统转换频率。

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