CDF56G6517N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDF56G6517NTR13P
Price: 41.43 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

610-CDF56G6517NTR13P

制造商编号：

CDF56G6517N TR13 PBFREE

制造商：

Central Semiconductor

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 17A, N-Channel GaN FET

数据表:

CDF56G6517N TR13 PBFREE 数据表 (PDF)

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	¥46.8159	¥46.82
	¥36.0696	¥360.70
	¥26.216	¥2,621.60
	¥25.4815	¥25,481.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥21.3457	¥53,364.25

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Central Semiconductor
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	3.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	113 W
通道模式:	Depletion
商标:	Central Semiconductor
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	4 ns
最大工作频率:	100 kHz
最小工作频率:	0 Hz
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	5 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
技术:	GaN
典型关闭延迟时间:	4 ns
典型接通延迟时间:	3 ns

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数据表

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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.