CDFG6558N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDFG6558NTR13PBF
CDFG6558N TR13 PBFREE

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

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数量 单价
总价
¥89.835 ¥89.84
¥62.2856 ¥622.86
¥52.0252 ¥5,202.52
¥50.9517 ¥50,951.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥42.4315 ¥106,078.75

产品属性 属性值 选择属性
Central Semiconductor
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Depletion
商标: Central Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 4 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Field Effect Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 4 ns
系列: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power FET
典型关闭延迟时间: 5 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

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