CTLHR10-06 TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CTLHR10-06 TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CTLHR10-06
Price: 8.13 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

610-CTLHR10-06

制造商编号：

CTLHR10-06 TR13 PBFREE

制造商：

Central Semiconductor

说明：

整流器 5.0A 600V Hyperfast 22ns 1.2uA 1.6Vf

数据表:

CTLHR10-06 TR13 PBFREE 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.1869	¥9.19
	¥8.4411	¥84.41
	¥7.6501	¥765.01
	¥7.6388	¥3,819.40
	¥7.3902	¥18,475.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥7.1416	¥35,708.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Central Semiconductor
产品种类:	整流器
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TLM-364-3
Vr - 反向电压 :	600 V
If - 正向电流:	10 A
类型:	Hyper Fast Recovery Rectifier
配置:	Single
Vf - 正向电压:	1.6 V
最大浪涌电流:	150 A
Ir - 反向电流 :	1.2 uA
恢复时间:	22 ns
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Central Semiconductor
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
产品:	Rectifiers
产品类型:	Rectifiers
工厂包装数量:	5000
子类别:	Diodes & Rectifiers

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数据表

CTLHR10-06 TR13 PBFREE 数据表

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

HyperFast Rectifiers

Central Semiconductor HyperFast Rectifiers are designed specifically for extremely fast-switching applications, such as PFC, where total conduction losses must be minimized and, at the same time, power density must be maximized. All three devices offer industry-leading switching performance and make use of industry-standard packages and mounting pad layouts for ease of manufacturing and adaptability to existing designs. Features of these devices include high current capability, high surge capacity, hyperfast recovery time, high reverse voltage capability, high power density, energy efficiency, and low switching losses.