DIF120SIC053-AQ

Diotec Semiconductor
637-DIF120SIC053-AQ
DIF120SIC053-AQ

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET

数据表:
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库存量: 448

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥220.1127 ¥220.11
¥166.1778 ¥1,661.78
¥151.4539 ¥18,174.47
¥129.2042 ¥65,894.14
1,020 报价

产品属性 属性值 选择属性
Diotec Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
53 mOhms
- 4 V, + 18 V
4 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
278 W
Enhancement
商标: Diotec Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 21 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 58 ns
系列: 120SIC
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

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