DMWSH120H28SM3

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H28SM3
DMWSH120H28SM3

制造商：

说明：
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

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Diodes Incorporated
产品种类: 碳化硅MOSFET
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RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
97.4 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.6 V
175 nC
- 55 C
+ 175 C
405 W
Enhancement
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 12.8 ns
封装: Tube
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 40.6 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Silicon Carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 44.8 ns
典型接通延迟时间: 24.2 ns
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数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N通道功率MOSFET是碳化硅MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些MOSFET具有低输入电容、高达100μA零栅极电压漏极电流、高达±250nA栅极-源极漏电流以及适用于电源应用的高BVDSS 额定值。DMWSH120Hx MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94 V-0可燃性分类等级。这些功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。

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