DMWSH120H28SM4Q

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H28SM4Q
DMWSH120H28SM4Q

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

数据表:
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数量 单价
总价
¥272.7933 ¥272.79
¥209.1065 ¥2,091.07

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 19 V
2.5 V
173.7 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 12.52 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 40.06 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 23.83 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N通道功率MOSFET是碳化硅MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些MOSFET具有低输入电容、高达100μA零栅极电压漏极电流、高达±250nA栅极-源极漏电流以及适用于电源应用的高BVDSS 额定值。DMWSH120Hx MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94 V-0可燃性分类等级。这些功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。

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