DMWSH120H43SM3

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H43SM3
DMWSH120H43SM3

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Diodes Incorporated DMWSH120H43SM3详情

库存量: 36

库存：
36 可立即发货
生产周期：
40 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥140.6172 ¥140.62
¥90.1627 ¥901.63

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
To-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
72.7 A
43 mOhms
- 8 V, + 19 V
2.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
341 W
Enhancement
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 最小值: 8.6 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 27.6 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 28.6 ns
典型接通延迟时间: 15.2 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N通道功率MOSFET是碳化硅MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些MOSFET具有低输入电容、高达100μA零栅极电压漏极电流、高达±250nA栅极-源极漏电流以及适用于电源应用的高BVDSS 额定值。DMWSH120Hx MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94 V-0可燃性分类等级。这些功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。