DMWSH120H90SCT7

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H90SCT7
DMWSH120H90SCT7

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

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¥-.--
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数量 单价
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¥79.4051 ¥79.41
¥51.6184 ¥516.18
¥42.2733 ¥4,227.33

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
38.2 A
90 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.5 V
54.6 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 最小值: 5 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 18.8 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 17.2 ns
典型接通延迟时间: 9.1 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N通道功率MOSFET是碳化硅MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些MOSFET具有低输入电容、高达100μA零栅极电压漏极电流、高达±250nA栅极-源极漏电流以及适用于电源应用的高BVDSS 额定值。DMWSH120Hx MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94 V-0可燃性分类等级。这些功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。

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