DXTN80030DFGQ-7

Diodes Incorporated
621-DXTN80030DFGQ-7
DXTN80030DFGQ-7

制造商：

说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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¥2.0227 ¥1,011.35
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¥1.8419 ¥3,683.80

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerVDFN-8
NPN
Single
30 V
80 V
8 V
120 mV
2.4 W
130 MHz
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
DXTN
Reel
Cut Tape
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 10 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
直流电流增益 hFE 最大值: 550 at 100 mA
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
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数据表

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USHTS:
8541290095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

DXTN80x NPN双极晶体管

Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI® 3333-8封装，可实现更高密度的终端产品。这些器件提供>30V、60V或100V的集电极-发射极电压，以及>8V的发射极-基极电压。DXTN80x非常适合高温环境，其温度额定值为+175°C。Diodes Inc. DXTN80x NPN双极晶体管非常适合电机、螺线管、继电器和致动器驱动器控制。

DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管额定电压为30V、60V和100V，具有出色的导通效率和热性能，适用于要求严格的汽车电源开关和控制。超低VCE(SAT) NPN和PNP双极晶体管非常适合12V、24V和48V系统，支持MOSFET和IGBT栅极驱动、负载开关、LDO调节、DC-DC转换以及电机/致动器控制等应用。

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