FDMS86182

onsemi
512-FDMS86182
FDMS86182

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET

数据表:
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库存量: 13,895

库存：
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥22.0802 ¥22.08
¥12.5769 ¥125.77
¥8.7688 ¥876.88
¥7.9213 ¥3,960.65
¥7.8196 ¥7,819.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥7.8196 ¥23,458.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
100 V
78 A
5.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 63 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4 ns
系列: FDMS86182
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 68.100 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是100V N沟道MV MOSFET，采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺研发而成。 这些MOSFET将通态电阻(RDSON)和反向恢复电荷(Qrr)降至最低，以提供出色的开关性能和效率。 小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和品质因数(FOM)确保同步整流应用的快速切换。 这些器件的电压过冲很小甚至没有，降低了电压振铃，并减少了EMI，适用于电源和电机驱动等要求额定电压为100V的MOSFET的应用。 此外，MOSFET提高了功率密度，使MOSFET能够更大幅地降额。 这些器件100%经过UIL测试，可采用MSL1稳健封装设计。
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