FGY4L160T120SWD

onsemi
863-FGY4L160T120SWD
FGY4L160T120SWD

制造商：

说明：
IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L

寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
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库存：

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onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
交货限制:
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RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
20 V
200 A
1.5 kW
- 55 C
+ 175 C
FGY4L160T120SWD
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 160 A
组装国: CN
扩散国家: KR
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT

安森美FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和采用TO-247 4−lead封装的第7代二极管。安森美FGY4LxxT120SWD具有最佳的性能，具有低开关和导通损耗，可在太阳能逆变器、UPS和ESS等各种应用中实现高−效率运行。

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