FGY4L75T120SWD

onsemi
863-FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L

寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
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供货情况

库存：
无库存
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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥85.3602 ¥85.36
¥51.2003 ¥512.00
¥45.991 ¥5,518.92

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.37 V
20 V
150 A
652 W
- 55 C
+ 175 C
FGY4L75T120SWD
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT

安森美FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和采用TO-247 4−lead封装的第7代二极管。安森美FGY4LxxT120SWD具有最佳的性能，具有低开关和导通损耗，可在太阳能逆变器、UPS和ESS等各种应用中实现高−效率运行。

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