您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

FM24V05-G

Name: Infineon FM24V05-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM24V05-G
Price: 83.55 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

877-FM24V05-G

制造商编号：

FM24V05-G

制造商：

Infineon Technologies

说明：

F-RAM 512K (64KX8) 3.3V F-RAM

数据表:

FM24V05-G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies FM24V05-G详情

库存量: 439

库存：: 439 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥94.4115	¥94.41
	¥87.8123	¥878.12
	¥85.1229	¥2,128.07
	¥81.1227	¥4,056.14
	¥77.9926	¥7,799.26
	¥75.9925	¥18,998.13
	¥74.2636	¥36,017.85
	¥56.1949	¥54,509.05
2,910	报价

备用包装

制造商零件编号:

FM24V05-GTR

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥94.4115

最小:

类似产品

制造商：

Infineon Technologies

制造商编号：

FM24V05-GTR

说明：

F-RAM 512K (64KX8) 3.3V F-RAM

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	F-RAM
RoHS:
存储容量:	512 kbit
接口类型:	I2C
最大时钟频率:	3.4 MHz
组织:	64 k x 8
封装 / 箱体:	SOIC-8
电源电压-最小:	2 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	FM24V05-G
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
组装国:	TH
扩散国家:	US
原产国:	US
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
工作电源电压:	3.3 V
产品类型:	FRAM
工厂包装数量:	485
子类别:	Memory & Data Storage
单位重量:	540 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FM24V05-G 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.b.2

WICED物联网平台

Cypress Semiconductor WICED物联网平台是一系列无线技术，从Wi-Fi®和Bluetooth®到专为物联网构建的MCU，不一而足。这些安全的设计就绪型产品可以显著简化设计。Cypress携手20多个生态系统合作伙伴共同解决持续存在的设计问题。

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

非易失性串行F-RAM

Cypress Semiconductor串行F-RAM（铁电RAM）存储器将ROM的非易失性数据存储能力与RAM的快速相结合。串行F-RAM具有多种接口和密度选项，包括SPI和I²C接口、行业标准封装以及4KB-4MB密度范围。Cypress串行F-RAM与其它非易失性存储技术相比具有三项独特的优势：写入速度快、耐久性极强和功耗低。串行F-RAM具有100万亿次写入周期，大大超过了EEPROM的100万次写入周期极限。因此，不需要采用损耗均衡技术，即可在产品的整个生命周期内提供支持。