FM25V10-DG

Infineon Technologies
727-FM25V10-DG
FM25V10-DG

制造商:

说明:
F-RAM FRAM

ECAD模型:
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库存量: 88

库存:
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生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥150.6064 ¥150.61
¥139.7471 ¥1,397.47
¥135.3175 ¥3,382.94
¥132.1083 ¥6,605.42
¥128.8087 ¥12,880.87
¥122.8084 ¥30,702.10
¥117.3279 ¥43,411.32
1,110 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
128 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM25V10-G
Tube
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
工作电源电压: 2 V to 3.6 V
产品类型: FRAM
工厂包装数量: 370
子类别: Memory & Data Storage
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.