FS1000R08A7P3BHPSA1

Name: Infineon FS1000R08A7P3BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1000R08A7P3BHP
Price: 3287.63 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-FS1000R08A7P3BHP

制造商编号：

FS1000R08A7P3BHPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET模块 HybridPACK Drive G2 module

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

FS1000R08A7P3BHPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	HybridPACK
Vgs th-栅源极阈值电压:	6.65 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	750 W
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	DE
下降时间:	91 ns
产品:	Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	50 ns
工厂包装数量:	6
子类别:	Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:	929 ns
典型接通延迟时间:	222 ns
Vf - 正向电压:	1.76 V
Vr - 反向电压 :	750 V
零件号别名:	FS1000R08A7P3B SP005913585

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数据表

FS1000R08A7P3BHPSA1 数据表 (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2模块

英飞凌HybridPACK ™ Drive G2模块是一款紧凑型电源模块，设计用于混合动力汽车和电动汽车牵引。英飞凌G2模块采用Si或SiC技术以及不同芯片组，具有可扩展的性能水平，同时保持相同的模块尺寸。该模块于2017年推出，采用硅EDT2技术，优化用于提高实际驱动效率。2021年，推出CoolSiC™ 版本，带来更高的电池密度和更好的性能。2023年，第二代HybridPACK Drive G2上市，采用EDT3（Si IGBT）和CoolSiC™ G2 MOSFET技术，为传感器带来易用性和集成选项，在750V和1200V级别内可实现高达300kW的性能。