FS520R12A8P1LBHPSA1

Name: Infineon FS520R12A8P1LBHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS520R12A8P1LBHP
Price: 3583.43 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-FS520R12A8P1LBHP

制造商编号：

FS520R12A8P1LBHPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G2 SI

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

FS520R12A8P1LBHPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:
产品:	IGBT Modules
配置:	Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.48 V
在25 C的连续集电极电流:	520 A
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
Pd-功率耗散:	1 kW
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
栅极/发射极最大电压:	20 V
安装风格:	Press Fit
产品类型:	IGBT Modules
系列:	Drive G2
工厂包装数量:	6
子类别:	Discrete and Power Modules
技术:	Si
商标名:	HybridPACK
零件号别名:	FS520R12A8P1LB SP005850366

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ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2模块

英飞凌HybridPACK ™ Drive G2模块是一款紧凑型电源模块，设计用于混合动力汽车和电动汽车牵引。英飞凌G2模块采用Si或SiC技术以及不同芯片组，具有可扩展的性能水平，同时保持相同的模块尺寸。该模块于2017年推出，采用硅EDT2技术，优化用于提高实际驱动效率。2021年，推出CoolSiC™ 版本，带来更高的电池密度和更好的性能。2023年，第二代HybridPACK Drive G2上市，采用EDT3（Si IGBT）和CoolSiC™ G2 MOSFET技术，为传感器带来易用性和集成选项，在750V和1200V级别内可实现高达300kW的性能。