GCMX005A120S3B1-N SemiQ

说明：

MOSFET模块 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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制造商:	SemiQ
产品种类:	MOSFET模块
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	S3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	424 A
Rds On-漏源导通电阻:	7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.531 kW
系列:	GCMX
封装:	Bulk
商标:	SemiQ
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	24 ns
高度:	30.9 mm
长度:	106.4 mm
产品:	Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	18 ns
工厂包装数量:	15
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Half Bridge Module
典型关闭延迟时间:	114 ns
典型接通延迟时间:	65 ns
Vf - 正向电压:	4 V
宽度:	61.4 mm

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数据表

GCMX005A120S3B1-N 数据表 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).

GCMX 1200 V SiC MOSFET半桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一项出色特性是其稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。