GCMX080B120S1-E1

SemiQ
148-GCMX080B120S1-E1
GCMX080B120S1-E1

制造商：

说明：
MOSFET模块 SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 7

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥176.3139 ¥176.31
¥126.6391 ¥1,266.39
¥114.7402 ¥11,474.02

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
30 A
77 mOhms
- 10 V, + 25 V
2 V
- 55 C
+ 175 C
142 W
Tube
商标: SemiQ
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
下降时间: 11 ns
If - 正向电流: 10 A
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
类型: High Speed Switching
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
Vf - 正向电压: 3.8 V
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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