GE10MPS06Q-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE10MPS06Q-TR
GE10MPS06Q-TR

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

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数量 单价
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产品属性 属性值 选择属性
Navitas Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-8
Single
10 A
650 V
1.25 V
55 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
商标: GeneSiC Semiconductor
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
Pd-功率耗散: 191 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 3000
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.

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