IGC037S12S1XTMA1

Name: Infineon IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC037S12S1XTMA1
Price: 28.62 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IGC037S12S1XTMA1

制造商编号：

IGC037S12S1XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

寿命周期:

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数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥32.3406	¥32.34
	¥22.9955	¥229.96
	¥17.7862	¥1,778.62
	¥15.142	¥7,571.00
	¥14.6448	¥36,612.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥12.656	¥63,280.00
10,000	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	71 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	6.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.9 V
Qg-栅极电荷:	13 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolGaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	Transistors
产品类型:	GaN FETs
系列:	60 V - 120 V G3
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	P-Channel
类型:	CoolGaN
零件号别名:	IGC037S12S1 SP006027453

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CoolGaN™ G3晶体管

英飞凌 CoolGaN™ G3晶体管设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。此系列晶体管的导通电阻极低，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。英飞凌CoolGaN G3晶体管提供四种电压选项（60V、80V、100V和120V），具备超快的开关速度和极低的栅极/输出电荷。此系列晶体管采用紧凑型PQFN封装，可增强热管理，支持双面冷却，即使在严苛条件下也能够确保可靠运行。这些特性使CoolGaN G3晶体管非常适合用于电信和数据中心电源以及工业电源系统等应用。