IGI65D1414A3MSXUMA1

Infineon Technologies
726-IGI65D1414A3MSXU
IGI65D1414A3MSXUMA1

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

寿命周期:
新产品:
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库存量: 2,678

库存:
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生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥58.647 ¥58.65
¥39.6178 ¥396.18
¥29.5269 ¥2,952.69
¥28.0353 ¥28,035.30
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥24.069 ¥72,207.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-32
N-Channel
2 Channel
650 V
170 mOhms
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
组装国: MY
扩散国家: Not Available
原产国: AT
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 2 N-Channel
零件号别名: IGI65D1414A3MS SP005970004
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已选择的属性: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 650V G5晶体管

英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力,提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案,旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。