IGL65R140D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R140D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R140D2XUMA1
Price: 28.55 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IGL65R140D2XUMA1

制造商编号：

IGL65R140D2XUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥32.2615	¥32.26
	¥21.0971	¥210.97
	¥14.803	¥1,480.30
	¥12.656	¥6,328.00
	¥12.4865	¥12,486.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥10.5881	¥31,764.30
	¥10.17	¥61,020.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	HEMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	13 A
Rds On-漏源导通电阻:	170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.6 V
Qg-栅极电荷:	1.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	47 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolGaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	MY
扩散国家:	AT
原产国:	AT
下降时间:	23 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	GaN FETs
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	7 ns
系列:	CoolGaN G5
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	Si
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
零件号别名:	IGL65R140D2 SP006065162

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数据表

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5晶体管

英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力，提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案，旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。