IGLD65R080D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGLD65R080D2AUMA
IGLD65R080D2AUMA1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5

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库存量: 2,712

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥43.9231 ¥43.92
¥29.7755 ¥297.76
¥22.1706 ¥2,217.06
¥21.1762 ¥10,588.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥17.9444 ¥53,833.20
6,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PG-LSON-8
HEMT
1 Channel
650 V
18 A
100 mOhms
- 10 V
1.2 V
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolGaN
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 17 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: GaN Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 8 ns
系列: 650 V G5
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
零件号别名: IGLD65R080D2 SP005918713
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 650V G5晶体管

英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力，提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案，旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。

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