IKW25N120T2

Infineon Technologies
726-IKW25N120T2
IKW25N120T2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
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库存量: 1,302

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥50.0477 ¥50.05
¥25.3911 ¥253.91
¥22.6678 ¥2,266.78

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
50 A
349 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT4
Tube
商标: Infineon Technologies
组装国: CN
扩散国家: DE
原产国: DE
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
单位重量: 38 g
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT

国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT 采用 IR 最新一代有沟槽栅、场终止技术，工业标准 TO-247 封装，拥有同类最佳的性能，适用于工业和节能型应用。第 8 代技术提供软关断特性，适用于电机驱动应用，尽量减小 dv/dt 以降低 EMI，和过电压，同时提高了可靠性和耐用性。这些第 8 代 IGBT 具有从 8A 至 60A 的电流额定值，其中 V CE(导通) 典型值为 1.7V，短路保护额定值为 10µs，这降低了功率耗散，从而提高了功率密度和鲁棒性 1200V 第 8 代 IGBT 采用薄晶片技术，改进了热阻性能，最大结温为 175ºC。
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