IMBG65R057M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R057M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R057M1HXTM
Price: 58.12 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMBG65R057M1HXTM

制造商编号：

IMBG65R057M1HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IMBG65R057M1HXTMA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥65.6756	¥65.68
	¥52.6128	¥526.13
	¥42.5106	¥4,251.06
	¥37.7985	¥18,899.25
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥33.5045	¥33,504.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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制造商：

Infineon Technologies

制造商编号：

IMBG65R050M2HXTMA1

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	39 A
Rds On-漏源导通电阻:	74 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	161 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	AT
原产国:	AT
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	CoolSiC 650V
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
零件号别名:	IMBG65R057M1H SP005539175

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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