IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 482.02 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMYH200R012M1HXK

制造商编号：

IMYH200R012M1HXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

数据表:

IMYH200R012M1HXKSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	2 kV
Id-连续漏极电流:	123 A
Rds On-漏源导通电阻:	16.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	246 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	552 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSIC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	MY
扩散国家:	AT
原产国:	AT
下降时间:	24 ns
正向跨导 - 最小值:	30 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	13 ns
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	IMYH200R012M1H SP005427368

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数据表

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JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌科技2000V CoolSiC™ MOSFET是沟槽式MOSFET，采用TO-247PLUS-4-HCC封装。这些MOSFET设计用于在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度，即使在苛刻的高压和开关频率条件下也是如此。CoolSiC™技术具有低功耗，采用.XT互连技术，可靠性极高，可在各种应用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基准栅极阈值电压，开关损耗非常低。典型应用包括储能系统、电动汽车充电、灯串逆变器和太阳能优化器。