IMYH200R024M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R024M1HXK
IMYH200R024M1HXKSA1

制造商：

说明：
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

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Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
发货限制：
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RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
89 A
33 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
137 nC
- 55 C
+ 150 C
576 W
Enhancement
CoolSIC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: AT
原产国: AT
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
零件号别名: IMYH200R024M1H SP005745284
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌科技2000V CoolSiC™ MOSFET是沟槽式MOSFET，采用TO-247PLUS-4-HCC封装。这些MOSFET设计用于在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度，即使在苛刻的高压和开关频率条件下也是如此。CoolSiC™技术具有低功耗，采用.XT互连技术，可靠性极高，可在各种应用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基准栅极阈值电压，开关损耗非常低。典型应用包括储能系统、电动汽车充电、灯串逆变器和太阳能优化器。

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