IMYH200R050M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R050M1HXK
IMYH200R050M1HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

数据表:
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库存量: 10

库存：
10
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在途量:
1,200
生产周期：
5
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥178.2575 ¥178.26
¥134.9107 ¥1,349.11
¥127.464 ¥12,746.40
¥121.3394 ¥58,242.91

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
48 A
64 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
348 W
Enhancement
CoolSIC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: AT
原产国: AT
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 10 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: IMYH200R050M1H SP005427372
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌科技2000V CoolSiC™ MOSFET是沟槽式MOSFET，采用TO-247PLUS-4-HCC封装。这些MOSFET设计用于在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度，即使在苛刻的高压和开关频率条件下也是如此。CoolSiC™技术具有低功耗，采用.XT互连技术，可靠性极高，可在各种应用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基准栅极阈值电压，开关损耗非常低。典型应用包括储能系统、电动汽车充电、灯串逆变器和太阳能优化器。

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