IMZA65R039M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R039M1HXKS
IMZA65R039M1HXKSA1

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 360

库存:
360 可立即发货
生产周期:
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥78.0039 ¥78.00
¥47.234 ¥472.34
¥44.0926 ¥4,409.26
¥43.1773 ¥20,725.10

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
50 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
零件号别名: IMZA65R039M1H SP005423796
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ MOSFET 650V

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650V CoolSiC™ M1沟槽式功率MOSFET

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