IPB175N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB175N20NM6ATMA
IPB175N20NM6ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

寿命周期:
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.3406 ¥32.34
¥21.1762 ¥211.76
¥14.8934 ¥1,489.34
¥12.656 ¥6,328.00
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥11.7407 ¥11,740.70

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
200 V
61 A
15.5 mOhms
20 V
4.5 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
203 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 9.8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 23 ns
系列: OptiMOS 6
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPB175N20NM6 SP006070078
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET是一款N沟道正常电平MOSFET，提供PG-TO263-3、PG-TO220-3和PG-HDSOP-16封装选项。此系列MOSFET具有优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM)、极低反向恢复电荷 (Qrr) 和低导通电阻RDS(on) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET可在175°C温度下工作。这些MOSFET符合IEC61249‑2‑21规定的无卤素要求，根据J‑STD-020标准分类潮湿敏感度等级为 (MSL 1) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET非常适合可再生能源、电机控制、音频放大器和工业应用。

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