IPB95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB95R450PFD7ATM
IPB95R450PFD7ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET LOW POWER_NEW

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IPB95R450PFD7ATMA1详情

供货情况

库存：
0

您可以延期订购此产品。

生产周期：
3 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.4646 ¥26.46
¥17.289 ¥172.89
¥11.9893 ¥1,198.93
¥10.0909 ¥5,045.45
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥9.0965 ¥9,096.50

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
13.3 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
下降时间: 4.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.7 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPB95R450PFD7 SP005547014
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。