IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPD95R450PFD7ATM
IPD95R450PFD7ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET LOW POWER_NEW

数据表:
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库存量: 958

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.826 ¥22.83
¥14.803 ¥148.03
¥10.17 ¥1,017.00
¥8.3507 ¥4,175.35
¥7.8422 ¥7,842.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥7.7405 ¥19,351.25

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
13.3 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
下降时间: 4.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPD95R450PFD7 SP005547015
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。

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